Z-RAM高密度存储知识产权(IP)开发商Innovative Silicon Inc（ISi），与海力士(Hynix)半导体有限公司日前宣布：海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获得了抢先将Z-RAM引入DRAM市场的机会。为确保这项优势，两家公司已经投入相当大的工程资源共同开发该项目。
Z-RAM最初作为全球成本最低的嵌入式内存技术而应用于逻辑芯片，如移动芯片组、微处理器、 网络和其他消费应用。2005年12月AMD首次获得该项技术授权，将这项技术应用于微处理器设计。目前此次与Hynix的合作，使Z-RAM成为超过300亿美元的存储器市场中成本最低的存储器技术。
“Z-RAM保证提供一种在纳米工艺上制造高密度DRAM的最佳方法，”海力士研发部副总裁Sung-Joo Hong说。“以ISi的Z-RAM创新为基础，我们看到了开创全新产品平台的潜力，这将帮助我们继续保持和扩展在存储器市场中所处的领先地位。”
“海力士决定与ISi的合作是对我们Z-RAM存储技术的实力和商业效益的进一步肯定，尤其是海力士是存储器芯片市场的主导者，它的产品被广泛应用于多种电子设备中，如个人电脑、服务器、工作站、显卡以及手持设备，如手机、MP3播放器和数码相机等，”ISi首席执行官Mark-Eric Jones说。“采用ISi的Z-RAM技术制成的存储器芯片尺寸更小，成本更低。我们期待着与海力士在下一代DRAM芯片中的合作，从而为最终用户带来极大的性能和可用性方面的优势。”
ISi营销副总裁Jeff Lewis说：“我们相信这是ISi和Hynix的重要里程碑。Z-RAM将对DRAM的设计和制造产生深远影响。由于2006年DRAM产业产品销售超过330亿美元，这样的发展将显著地影响到整个电子行业。”
ISi的Z-RAM与目前标准DRAM和SRAM（静态存储器）方案不同，因为其单晶体管(1T)位单元结构是全球最小的存储单元，这使其成为全世界密度最高、成本最低的半导体存储方案。通过采用绝缘体上硅结构(SOI)晶圆，Z-RAM的单晶体管存储位单元可利用电路制造中发现的浮体效应(FBE)而变成现实。此外，因为Z-RAM是利用了SOI自然产生的效应，在存储位单元内无须通过改变外在工艺来构建电容或其它复杂结构。
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